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GAA 3纳米落后三星18个月!另辟蹊径出绝招,台积电超越三星

2020-02-21 12:25:53 来源:中时电子报
台积电5纳米制程今年下半年进入量产,进度落后的竞争对手三星积极押注下一代制程追赶,两家公司可望于3纳米制程再度交手决战高下,预期台积电可能于4月29日北美技术论坛公布3纳米最新进展,市调机构推估,台积电将先采用FinFET(鳍式场效电晶体)3纳米,之后在3或2纳米后期阶段才导入GAA(环绕闸极)制程技术。


在7纳米、5纳米制程,台积电和三星都采用FinFET制程技术,不过跨入下一代3纳米节点,三星已于去年底宣布采用GAA,跟7纳米相较,其晶片面积减少45%,功耗降低50%,整体运算效能拉高35%。
 
市场研究机构IBS指出,台积电于3纳米之所以采用FinFET架构,原因在于想抢在2021年第3季正式进入量产,这速度超前三星快1季的时间。毕竟台积电在GAA架构的开发落后三星12至18个月,因此延用3纳米FinFET策略,可望弥补时程的劣势。
 
台积电可能会依据技术的发展路径,改变3纳米战略,首先计划采用3纳米FinFET,之后或许会调整,在3或2纳米的后期阶段才导入GAA架构的制程技术。
随着制程技术的提升,成本价格也不断水涨船高,但并非所有芯片都需使用3纳米或更先进制程,除了苹果、华为、三星、高通等大厂未来推出的产品使用高端制程外,其他厂商不太需要抢用这部分的产能。

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